Confección post-fabricación a medida de transistores MoS2-FET

Publicado el: 12/07/2019
Confección post-fabricación a medida de transistores MoS2-FET
Fuente: WWW.MADRIMASD.ORG

Obtienen una inteligente solución para modificar la geometría de varios transistores de efecto de campo fabricados a partir de MoS2 exfoliado utilizando el grabado inducido por haz de electrones pulsado

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